Goodnews.ua


Samsung инвестирует миллиард долларов для создания 4-нанометрового чипа

Июль 02
08:18 2017

Samsung инвестирует миллиард долларов для создания 4-нанометрового чипа

Samsung делает чипы на заводе в Остине, штат Техас. Компания открыла фабрику в 1997 году и с тех пор вложила 16 миллиардов долларов в развитие. В этот раз производитель инвестирует миллиард долларов для перехода к 4-нанометровому техпроцессу.
Как сообщают представители ресурса SamMobile, сегодня Samsung делает 10-нанометровые чипы FinFET. В следующем году компания перейдёт к 7-нанометровому процессу, а к 2020 — к 4-нанометровому. Для этого выделит миллиард долларов.
Samsung рассказала о старте массового производства 10-нанометровых чипов по технологии FinFET в октябре 2016 года. Новая модель получилась на 30 процентов компактнее 14-нанометрового предшественника и показала 27-процентный прирост производительности. При этом потребление энергии снизилось на 40 процентов.
Пример такого чипа — Exynos 8895. Он находится внутри Galaxy S8 и Galaxy S8+.

Источник: androidinsider.ru

Share

Статьи по теме







0 Комментариев

Хотите быть первым?

Еще никто не комментировал данный материал.

Написать комментарий

Комментировать

Залишаючи свій коментар, пам'ятайте, що зміст та тональність вашого повідомлення можуть зачіпати почуття реальних людей, що безпосередньо чи опосередковано пов'язані із цією новиною. Виявляйте повагу та толерантність до своїх співрозмовників. Користувачі, які систематично порушують це правило, будуть заблоковані.

Website Protected by Spam Master


Останні новини

Помощь на детей за границей: кто может получить 40 тысяч

Читать всю статью

Ми у соцмережах




Наші партнёри

UA.TODAY - Украина Сегодня UA.TODAY
Goodnews.ua