По мнению аналитиков подразделения DRAMeXchange компании TrendForce, массовой памятью для смартфонов в текущем году станет новейшая версия мобильной памяти LPDDR4X. Это тем более удивительно, что первые массовые партии памяти LPDDR4X начали появляться всего лишь около полугода назад. Собственно, процессоры, которые поддерживают LPDDR4X, сегодня можно пересчитать по пальцам одной руки — это Qualcomm Snapdragon 835 и 660 и MediaTek P20 и P30. Тем не менее, уже во втором квартале память LPDDR4X обойдёт память LPDDR4 по суммарной ёмкости всех вновь выпускаемых микросхем мобильной памяти (в пересчёте на биты).

Динамика рыночного распространения типов мобильной памяти (DRAMeXchange)
Память LPDDR4X отличается от памяти LPDDR4 лишь в одном — напряжение питания шины (VDDQ) LPDDR4X составляет 0,6 В, а не 1,1 В, как у памяти LPDDR4. За счёт этого подсистема памяти LPDDR4X потребляет на 10–20 % меньше, чем подсистема памяти LPDDR4. Что такое современные смартфоны и какие у них внутри аккумуляторы, знают все. Даже дополнительные 10 % экономии позволят немного продлить автономную работу устройств. К тому же сегодня память LPDDR4 и LPDDR4X используется не только в смартфонах, но также в сверхтонких ноутбуках, в вещах с подключением к Интернету, в автомобильной электронике и в другой продукции, где экономия потребления считается одним из важнейших факторов.

Основные преимущества LPDDR4X перед LPDDR4
Вопрос цены, кстати, уже можно считать неважным. Себестоимость микросхем LPDDR4X приблизилась к себестоимости микросхем LPDDR4 и всего на 5 % в среднем больше, чем себестоимость памяти LPDDR3. Это стимулирует разработчиков мобильных платформ быстрее переходить на более производительную память LPDDR4/LPDDR4X и активнее заниматься адаптацией памяти LPDDR4X, добавляя при переходе с LPDDR3 не только рост скорости передачи данных, но также увеличивая энергоэффективность подсистем памяти. В целом, в текущем году доля памяти LPDDR4/LPDDR4X на рынке превысит долю памяти LPDDR3.
Лидерами производства микросхем LPDDR4X считаются компании Samsung и SK Hynix. Компания Samsung начала массовый выпуск новой памяти первой в четвёртом квартале 2016 года (с использованием 18-нм технологических норм), но SK Hynix отметилась в январе началом производства самых ёмких микросхем LPDDR4X — объёмом 8 Гбайт с использованием 21-нм техпроцесса. Также в первом квартале массовый выпуск 20-нм микросхем LPDDR4X начала компания Micron. Все три производителя планируют начать во втором квартале производство многокорпусных упаковок eMCP с использованием кристаллов LPDDR4X. Это означает также, что кристаллы LPDDR4X позже можно будет встретить в составе SoC в виде встроенных модулей памяти.

Источник: 3dnews.ru