Toshiba выпустила флеш-память с интерфейсом UFS 3.0 на базе 3D NAND. Однокорпусные изделия емкостью 128, 256 и 512 ГБ быстрее устройств предыдущего поколения на 80%.

Toshiba начинает производство памяти UFS 3.0

Toshiba представила первую в мире флеш-память с интерфейсом Universal Flash Storage (UFS) 3.0 для смартфонов, планшетов и устройств виртуальной или дополненной реальности.

Чипы содержат кристаллы новейшей 96-слойной трехмерной памяти BiCS Flash (3D NAND). Размеры готового продукта, также включающего и контроллер, составляют 11,5 х 13 мм, а емкость может составлять 128, 256 или 512 ГБ. Контроллер поддерживает исправление ошибок, выравнивание массивов данных, трансляцию логических адресов в физические, а также управление неисправными ячейками. Наличие этих возможностей значительно упрощает разработку новых устройств.

Микросхемы памяти соответствуют стандартам JEDEC UFS 3.0 и HS-GEAR4, которые устанавливают верхний предел пропускной способности интерфейса в 11,6 Гбит/сек на линию. Таким образом, при наличии стандартных двух линий максимальная скорость шины может достигать 23,2 Гбит/сек.

Toshiba не называет конкретных данных по скорости работы новых чипов, но отмечает, что 512 ГБ вариант способен осуществлять чтение и запись данных быстрее устройств предыдущих поколений на 70% и 80% соответственно.

Появления первых смартфонов c новой памятью Toshiba следует ожидать в 2019 г.

Ставка на UFS

Toshiba можно назвать пионером в области производства памяти стандарта UFS. Именно эта компания первой в 2013 г. освоила производство микросхем флеш-памяти данной спецификации.

В последние годы технология UFS набирает популярность среди производителей смартфонов. По сравнению с наиболее распространенным в индустрии стандартом eMMC, UFS обеспечивает более высокую производительность и низкий уровень энергопотребления, но из-за высокой стоимости в основном применяется в дорогостоящих флагманских моделях гаджетов.

Некоторые компании, в частности Samsung, также выпускают внешние карты памяти с интерфейсом UFS. Внешне они мало отличаются от привычных карт MicroSD (отличаются расположением контактов), но обеспечивают сопоставимую с твердотельными накопителями (SSD) начального уровня производительность. Так, в 2016 г. Samsung выпустила первую карту памяти, выполненную по технологии UFS, которая достигала скоростей порядка 530/250 МБ/сек при последовательном чтении/записи, что действительно впечатляло на фоне MicroSD карт того времени, едва дотягивающих до 104 МБ/сек. Что касается операций произвольного доступа – здесь преимущество UFS-карт было еще более очевидным: память Samsung демонстрировала около 40 000/35 000 IOPS (Input/Output Operations Per Second – «число операций ввода/вывода в секунду»), тогда как MicroSD упирались в «потолок» 2 000 IOPS.

Технология SD Express

В июне 2018 г. SD Card Association, некоммерческая организация, занимающаяся разработкой стандартов карт памяти, представила новую спецификацию под названием SD Express.

По заявлению разработчиков, SD-карты, выпущенные согласно данной спецификации, смогут обеспечить хранение до 128 ТБ данных (стандарт SDUC – SD Ultra Capacity), а максимальная скорость передачи данных составит до 985 МБ/сек.

Для сравнения: такой емкости достаточно, чтобы сохранить около 29 тыс. фильмов в формате Full HD, порядка 16 млн музыкальных композиций в формате mp3 или 26 млн фотографий среднего качества.

Добиться столь внушительного прогресса ассоциации удалось благодаря интеграции интерфейсов PCIe и NVMe в карты нового поколения. NVMe – спецификация на протоколы доступа к твердотельным накопителям (SSD), подключенным по высокоскоростной шине PCI Express (PCIe). Устройства с поддержкой NVMe характеризуются низким уровнем задержек, эффективным использованием высокого параллелизма твердотельных накопителей, оптимизированного для функционирования под управлением многоядерных процессоров.

Источник: cnews.ru