Компания Silicon Motion анонсировала выход нового семейства контроллеров памяти UFS 2.1, которые поддерживают технологии UFS HS-Gear3x1L и UFS HS-Gear3x2L. Последние обеспечивают высокую производительность, низкое энергопотребление и возможность работать с большими объёмами памяти. Новинки основаны на проприетарной архитектуре MIPI M-PHY с поддержкой LDPC ECC для 3D NAND. Silicon Motion заявляет, что производительность контроллеров при чтении и записи составляет 50 000 и 40 000 операций ввода и вывода в секунду соответственно. Интересно, что ёмкость хранилища при этом может составлять рекордные 512 ГБ.
Напомним, UFS 2.1 является стандартом мобильной памяти последнего поколения и работает втрое быстрее, чем eMMC 5.1.
"Новые контроллеры UFS 2.1 расширяют наши лидерские позиции среди флагманских и премиум-моделей мобильных устройств, — заявил глава Silicon Motion Валлас Коу. Наше уникальное решение даст начало новому поколению энергоэффективной высокопроизводительной памяти, так как поддержка UFS появляется в большем количестве платформ".
Вальтер Кун, директор исследования в области NAND-памяти отметил, что в ближайшие пять лет UFS должна быть основным стандартом флеш-хранилищ, раскрывая весь свой потенциал на больших объёмах, например, 128 ГБ и 256 ГБ. Silicon Motion также заявляет о применении новых стандартов в паре с VR- и 4К-решениями.
Сначала образцы из нового семейства контроллеров будут отправлены создателям NAND-памяти, а массовое производство состоится позже в этом году.

Источник: 4pda.ru