Вчера южнокорейская компания официально объявила о начале производства модулей на 512 ГБ, которыми будут оснащены будущие смартфоны и планшеты.
Модули eUFS будут использоваться в флагманских устройствах. Они используют 64-слойные 512-гигабитные чипы V-NAND. Samsung отмечает, что они не только повышают плотность ранее используемых eUFS на 256 ГБ, но и обеспечивают двойную емкость при сохранении занимаемого пространства.

Скорость чтения и записи теперь составляют 860 МБ/с и 255 МБ/с соответственно. Для произвольных операций новые eUFS обеспечивают 42 000 IOPS ( операций ввода-вывода в секунду) при чтении и 40 000 IOPS при записи. Это в 400 раз быстрее скорости в 100 IOPS у обычных карт microSD.

Источник: sotovik.ru