В начале текущего года Samsung впервые продемонстрировала твердотельный накопитель на основе памяти Z-NAND. Модель объёмом 800 ГБ характеризовалась производительностью чтения и записи 750 000 и 160 000 IOPS соответственно и скоростью записи в 3,2 ГБ/с.

Согласно новым данным, производство памяти Z-NAND и соответствующих контроллеров должно начаться уже в нынешнем году. Samsung уже начала обсуждать варианты поставок с клиентами и наладила тестовое производство.

Кроме того, стало известно, что память Z-NAND относится к типу SLC, то есть способна хранить только один бит данных в каждой ячейке. В теории это должно обеспечить хорошую надёжность такой памяти, а преимущества с точки зрения производительности и скорости и так видны на примере показанного в марте накопителя.

Стоит отметить, что источник говорит о малой ёмкости микросхем Z-NAND, хотя, если судить по ранним данным, первыми на рынке должны появиться SSD объёмом от 1 до 4 ТБ.

Источник: ixbt.com