Немецкие исследователи достигли успеха в разработке мощных вертикальных органических транзисторов с двумя независимыми управляющими электродами. Такие транзисторы позволят наладить выпуск гибких дисплеев с высоким разрешением или RFID-меток без кремниевых элементов.

Гибкие телевизоры или смартфоны с растягивающимся экраном могут вскоре перестать быть технологическими курьезами, но для этого необходимы производительные органические транзисторы. Имеющиеся органические тонкопленочные транзисторы слишком медленные, чтобы их можно было использовать в устройствах, требующих высоких частот переключения. Исследовательская группа из Института прикладной физики Дрездена нашла выход, рассказывает Science Daily.

«До сих пор вертикальные органические транзисторы считались лабораторной диковинкой, которую слишком сложно интегрировать в электронную схему, — рассказал Ханс Клееман, руководитель группы. — Однако, как показано в нашей публикации, вертикальные органические транзисторы с двумя независимыми управляющими электродами идеально подходят для воплощения сложных логических цепей, сохраняя основное преимущество вертикальных транзисторов — а именно, высокую частоту переключения».

Вертикальные органические транзисторы с двумя независимыми управляющими электродами отличаются высокой частотой переключения в несколько наносекунд и настраиваемым пороговым напряжением. Благодаря этому даже одиночные транзисторы можно использовать для представления различных логических состояний (AND, NOT, NAND). Более того, возможность модифицирования порогового напряжения обеспечивает целостность сигнала и низкую потребляемую мощность.

В будущем такие транзисторы позволят полностью отказаться от кремниевых электронных компонентов и, при этом, осуществлять самые сложные электронные функции, например, беспроводную коммуникацию через RFID или гибкие дисплеи с высоким разрешением.

Технологию производства одноатомных транзисторов в промышленных масштабах представили недавно ученые из США. Они стали первыми, кто смог изготовить серию одноэлектронных транзисторов с атомно-масштабным контролем геометрии.

Источник: hightech.plus