На сегодня на рынке доступны чипы, выполненные по 10-нанометровой технологии. Компания IBM собирается укоротить эту технологию вдвое, отказавшись от стандарта FinFET-архитектуры в пользу структуры стека из четырех нанослоев 5-нанометровых чипов. Это позволит уместить 30 млрд транзисторов в устройстве размером с ноготок.

Для сравнения, на 7-нанометровом тестовом чипе аналогичных размеров умещалось 20 млрд транзисторов. Как пишет Forbes, чем плотнее транзисторы упакованы на чипе, тем быстрее сигнал может проходить между ними. IBM обещает не только удивительно компактные размеры, но и значительный прирост мощности (на 40%) или эффективности (на 75% при аналогичной производительности) подобных чипов.

Разработкой новинок IBM занимается в сотрудничестве с GlobalFoundries и Samsung. Именно две последние компании и лицензируют технологию, которая позволит к 2020 году сделать 5-нанометровый техпроцесс массовым. Нынешним королем потребительского рынка является 10-нанометровая технология, которая использовалась при создании чипа Snapdragon 835. Его можно отыскать во флагманских смартфонах Samsung.

FinFET используется с 2011 года и представляет собой три токопроводящих канала, окруженные изолирующим слоем. Но в последние годы инженеры столкнулись с проблемой масштабирования FinFET. Новая архитектура 5-нанометровых процессоров позволяет посылать сигнал через четыре канала.

Источник: tech.onliner.by