В конце прошлой недели южнокорейский производитель памяти SK Hynix сообщил о планах построить крупнейший в своём роде центр по разработке и проектированию энергонезависимой памяти и, в частности, памяти NAND-типа. На этот проект отведено 200 млрд южнокорейских вон, что примерно эквивалентно $174 млн. Строительство должно быть завершено в сентябре 2019 года. В новый центр планируется перевести всех сотрудников в данной области, которые разбросаны по другим предприятиям компании.
Строительство центра в Ичхоне — это рядом с штаб-квартирой SK Hynix в стране — начнётся в октябре этого года. На площади порядка 90 000 квадратных метров будет построено 15-этажное здание с 5 подземными этажами. В здании будут работать 4000 сотрудников компании в области разработки NAND-флеш и других перспективных технологий.
Центр по разработке «NAND» будет расположен недалеко от двух других центров компании — SUPEX Center и R3, которые работают над технологиями производства памяти типа DRAM (оперативной). В компании рассчитывают, что близость центров по разработке обоих типов памяти будет способствовать общению специалистов из разных областей и поможет появиться новым «синергетическим» продуктам SK Hynix. Например, речь может идти о модулях NVDIMM ((non-volatile DIMM).
Производство памяти NAND (и 3D NAND) становится ключевым для компании SK Hynix. На совершенствование и расширение производства флеш-памяти компания заложила в текущем году 9,6 трлн вон ($8,3 млрд) — на 2,6 трлн вон больше, чем планировалось первоначально. Около 2,2 трлн вон компания вложила в развёртывание новых линий на заводе в Чхонджу. А на днях стало известно, что компания инвестирует 4 трлн вон (395 млрд иен) в покупку части полупроводникового бизнеса Toshiba. За эти деньги SK Hynix рассчитывает получить до 15 % акций японского производителя Toshiba Memory, который в основном занимается выпуском флеш-памяти. Всё вместе взятое обещает улучшить позиции SK Hynix на рынке NAND-флеш, а нам с вами даёт надежду увидеть изобилие продукции на её основе.

Источник: 3dnews.ru