Переход к более тонким нормам техпроцесса всегда сопряжен с риском снижения процента выхода годной продукции ниже допустимого предела. Поэтому для освоения технологии лучше подходит продукция с простой топологией, такая, как микросхемы флэш-памяти NAND. В их случае большую часть площади кристалла занимает однородный массив транзисторов, да и затраты на НИОКР существенно меньше, чем в случае сложных логических схем, таких, как процессоры.

Именно микросхему памяти NAND выбрала компания Intel в качестве первого изделия, которое будет выпущено по нормам 10 нм. Кстати, одновременно производитель вводит измененную архитектуру транзистора, которая получила название FinFET Hyper Scaling. Как утверждается, она позволит увеличить плотность компоновки в 2,7 раза по сравнению с показателем, первоначально названным для этапа 10 нм.

В 10-нанометровых микросхемах NAND найдет применение объемная компоновка с 64 слоями. Микросхемы будут предназначены для SSD корпоративного сегмента.

Источник: ixbt.com