Компания Western Digital анонсировала завершение разработки очередного поколения фирменной трёхмерной флеш-памяти (3D NAND), BiCS4, которая характеризуется использованием 96 слоёв транзисторов с ловушкой заряда, расположенных по вертикальной оси. Поставки опытных образцов новой флеш-памяти партнёрам компании начнутся во второй половине текущего года, а запуск массового производства запланирован на 2018 год. Как и другие варианты BiCS-памяти, новая BiCS4 3D NAND создана Western Digital в сотрудничестве с Toshiba. Первые разработанные устройства имеют ёмкость 256 Гбит, но в дальнейшем компании планируют расширить ассортимент BiCS4 в том числе и на более высокие объёмы, вплоть до выпуска терабитного полупроводникового кристалла.
То, что Western Digital удалось собрать NAND-устройство с числом слоёв, достигающим 96, первой в отрасли, позволяет представителям компании заявлять о занятии ей лидирующих технологических позиций на рынке 3D NAND. Напомним, 64-слойная 3D NAND в настоящее время серийно выпускается всеми основными производителями флеш-памяти: Samsung, Intel, Micron, Toshiba и самой Western Digital, а компания SK Hynix готовится во второй половине года начать массовый выпуск 3D NAND с 72 слоями. Перевод же серийно выпускаемой флеш-памяти на 96- или 128-слойный дизайн запланирован всеми производителями на 2018 год, но Western Digital удалось первой объявить о готовности соответствующей технологии. Тем не менее, это отнюдь не означает, что у компании получится опередить конкурентов в сроках старта массового производства трёхмерной флеш-памяти с увеличенной плотностью хранения данных.
Впрочем, в перспективной технологии Western Digital есть и ещё одна интересная деталь. Как сказал доктор Сива Сиварам (Dr. Siva Sivaram), исполнительный вице-президент Western Digital по технологиям памяти: «BiCS4 будет доступна в двух вариантах архитектуры с 3 и 4 битами на ячейку. Сочетание наших технологических и производственных инноваций позволит предоставить наивысшие показатели вместимости для 3D NAND одновременно с высокой производительностью и надёжностью при цене, которая будет привлекательна для наших партнёров». А это значит, что в BiCS4 3D NAND компания Western Digital планирует наращивать плотность хранения данных не только технологически — за счёт увеличения числа слоёв флеш-памяти, но и логически — путём увеличения числа бит информации, хранимых в одной ячейке. Таким образом, следующий год вполне может ознаменоваться появлением реальных потребительских устройств, в которых наряду с 3D TLC NAND начнёт применяться и 3D QLC NAND, хранящая по 4 бита информации в одной ячейке.
Попутно с анонсом 96-слойной BiCS4-памяти Western Digital обозначила и свои намерения относительно текущей технологии BICS3, в рамках которой сейчас серийно выпускается 64-слойная 3D NAND. Компания ожидает, что по итогам года доля такой памяти в её поставках превзойдёт отметку в 75 %. Кроме того, планируется, что суммарные объёмы выпуска 3D NAND альянсом Western Digital и Toshiba превзойдут показатели Samsung, что позволит совместному предприятию Flash Forward стать крупнейшим производителем трёхмерной флеш-памяти.

Источник: 3dnews.ru